刻蚀机与光刻机哪个难做 各方分析一下

之前各种关于芯片突破纳米级别的消息很多，但是很少有人仔细去看是光刻机还是刻蚀机方面突破，要知道光刻机和刻蚀机是不一样的，其难易程度不是一个水平。

首先简单介绍一下光刻机和刻蚀机原理，光刻机把图案印上去，刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案或无图的部分，只留下剩余的部分。

目前中微半导体公司成功研制出3nm刻蚀机，在原型机设计、制造、测试及初步的工艺开发和评估均取得阶段性胜利，3nm的刻蚀机已经进入到全面量产阶段。而我国的光刻机剧透上海微电子从2002年进入到光刻机领域，到现在都19年了，最先进的也只有90nm，虽然目前提出28nm和14nm但是由于技术原因始终无法量产。

刻蚀机与光刻机工艺操作上：光刻机：利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将掩膜版上的电路图形传递到单晶的表面或介质层上，形成有效的图形窗口或功能图形。由于在晶圆的表面上，电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻工艺也是芯片制造中最核心的环节。

刻蚀机：用化学和物理方法，在经显影后的电路图永久和精确地留在晶圆上，选择性的去除硅片上不需要的材料。刻蚀工艺的方法有两大类，湿法蚀刻和干法蚀刻。

要知道，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中不断循环往复，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高。

由此我们不难看出刻蚀机和光科技哪个比较难做，我国的刻蚀机早已完成突破，国外也不再打压；而光刻机可就没那么容易去突破，所以目前在光刻机制造芯片上，我国还是被别人卡着喉咙。