刻蚀机和光刻机的区别 刻蚀机也是芯片制造重要一环

很多时候我们会看到一些消息称我国光刻机突破5nm、3nm实现超车，其实不然，这种说法是错误的，完全就是混淆视听，为何这么说，因为除了光刻机还有一个芯片制造环节中的重要设备，那就是刻蚀机。

光刻机学名又称为：掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等。芯片制造过程的核心是将设计在掩模板上的电路图案曝光转移到硅片表面，而光刻机正是完成这一步骤不可或缺的利器。

“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。

“蚀刻”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。蚀刻分为两种，一种是干刻，一种是湿刻。

如果把制造芯片比喻成盖房子，那么光刻机的作用就是把房子的结构标注在地上。刻蚀机就是在光刻完成以后才登场的设备，也是光刻完成以后最为重要的设备之一。刻蚀机最主要的作用就是按照光刻机已经标注好的线去做基础建设，把不需要的地方给清除掉，只留下光刻过程中标注好的线路。

在芯片制造领域，光刻机像是前端，而蚀刻机就是后端。光刻机的作用是把电路图描绘至覆盖有光刻胶的硅片上，而蚀刻机的作用就是按照光刻机描绘的电路图把硅片上其它不需要的光刻胶腐蚀去除，完成电路图的雕刻转移至硅片表面。两者一个是设计者，一个是执行者，整个芯片生产过程中，需要重复使用两种设备，直至将完整的电路图蚀刻到硅晶圆上为止。

国产蚀刻机就给我国半导体领域做了一个很好的榜样，我国中微半导体研发出国际主流的5nm蚀刻机并取得台积电的认证后，美国商务部就把蚀刻机从对华出口限制清单上移除了。这充分说明了一件事情，只要自己有了核心技术，对手就没法再打压你。

由此可以理解为，光刻机是特殊的照相机，刻蚀机顾名思义就是刻蚀。这两个过程一个是描图，一个是刻。刻蚀机的技术含量要远低于光刻机。