关于光刻机相信很多人已经不再陌生了,我们都知道目前最先进的光刻机当属荷兰阿斯麦的5nm制程光刻机,那我国的光刻机发展进程如何了?好像听说已经突破5nm?其实不然。
关于“中国5纳米光刻机已经突破”这则消息起源是去年7月,中科院网站刊登了一则国产5nm光刻技术获突破的新闻,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸研究员,与国家纳米科学中心刘前研究员合作,在《纳米外报》上发表了一篇研究论文,讲述了该团队开发的新型5nm超高精度激光光刻加工方法。但随后这条新闻被删除。
国家纳米科学中心科技管理部主任、中科院研究员,博士生导师刘前解释,中科院研发的5nm超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模,这是集成电路光刻制造中不可缺少一个部分,也是限制最小线宽的瓶颈之一。但即便这一技术实现商用化,要突破光刻机巨头荷兰公司ASML的垄断,还有很多核心技术需要突破,例如镜头的数值孔径、光源的波长等。况且这一技术目前还在实验室阶段。
按照制程,光刻机工艺可以分为180nm、90nm、65nm、45nm、22nm、14nm、7nm等。根据外媒报道,在日前的ITF论坛上,与全球光刻机巨头ASML合作研发半导体光刻机的比利时半导体研究机构 IMEC 正式公布,ASML对于3纳米、2纳米、1.5纳米、1纳米,甚至是小于1纳米的工艺都做了清楚的发展规划。
对于先进光刻机的研发,上海微电子从不止步,目前上海微电子已经实现了90nm制程光刻机的量产。早在去年就有消息称上海微电子将在今年上半年推出用于生产28nm芯片的光刻机,并将它交由中芯国际测试。
虽然到目前为止,上海微电子也还没有向市场推出用于生产28nm芯片的光刻机,但据业内最新消息透露,其实上海微电子的28nm和14nm光刻机已经造出来了,只是在成品率方面还没有达到预期,还有很大的成长空间,因此该设备还处于改进阶段。这么看来,28nm和14nm光刻机距离面世也不远了。
由此可知,我国在发展光刻机的道路上任重道远,少说也要有十几年的时间才能有突破新进展,相信未来中国的光刻机不止于5nm,技术突破了2nm、1nm也不一定。
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