中国光刻机现在多少纳米 造出来的只有90nm

我国生产光刻机的企业叫做上海微电子，但是它目前只能够生产最高用于90nm芯片制造的光刻机，这是什么概念，对比一下最先进的ASML光刻机你就知道了。

目前主流的光刻工艺共有180nm、90nm、65nm、45nm、22nm、14nm、7nm、5nm以及刚刚公布的1nm工艺等，但在光刻机设备中，并没有所谓的光刻机工艺节点，一般都表达为适用于多少工艺芯片的生产，比如目前ASML公司所生产的EUV光刻机设备，不仅仅可用于7nm EUV工艺芯片生产，同时也可被应用至5nm芯片生产。

上海微电子从2002年进入到光刻机领域，到现在都19年了，最先进的也只有90nm，这其实在于有一个坎还没有跨过去，只要跨过去了，就可以直接进入么10nm了，这个坎就是浸润式光刻技术。

光刻机的核心是光源，而光刻机的工艺能力要取决于光源的波长，目前使用的主要有三类光源，最早是汞灯光源，在365-436nm之间，后来发展到DUV光源，波长在248-193之间，而EUV光源则是13.5nm。

此前相信很多人听说过“国产5nm光刻技术获突破的新闻”，其实消息不实，中科院研发的5nm超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模，这是集成电路光刻制造中不可缺少一个部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。但即便这一技术实现商用化，要突破光刻机巨头荷兰公司ASML的垄断，还有很多核心技术需要突破，例如镜头的数值孔径、光源的波长等。况且这一技术目前还在实验室阶段。

最近消息传来，上海微电子已经掌握了22nm的技术。虽然距离ASML的5nm还有一段很长的距离，但是我们要认识到，这次的突破是从90nm到22nm，绝对是个里程碑式的突破，这意味着，我们的技术有了很大的进步。但是也不要太过于得意，这里有必要说明一下知识技术上的突破，真正应用于光刻机上还不好说。

不管怎样，我国科研人员的不懈独立，只是为了我国能够摆脱垄断，让中国在世界光刻机领域占有一席之地，无论有怎么样的进展和突破都是值得自豪的。