众所周知,目前我国芯片发展被别人牢牢扼住了喉咙,而光刻机在芯片的制造过程中是重中之重,但是我国科研人员从未停止脚步,中国光刻机最近有了新突破。
首先我们了解一下光刻机为什么难造。技术被“封锁”。我国一路走来,没少遭到打压,技术封锁这样的新闻,似乎平常的都不叫新闻,而是老生常谈的旧闻了。目前光刻机的技术,荷兰是最有发言权的,如果我们可以与之达成合作,那必然可以加速我国芯片研究的进程。可是国与国之间的合作不是那么简单,由于美国的压制,相关技术被封锁的死死的。
中国近些年的发展神速,其实很大程度上来源于起初的引进之后再仿造,可是由于我国在该领域已经落后了几十年,没有参照物仿照如何展开?从一张白纸到精彩纷呈很难,况且还是近乎“独闯天下”,自然是难上加难。
一台ASML光刻机有着大大小小8万个左右的零部件,其涉及到的技术也是诸多科研公司结合之后的结果。有人形容ASML光刻机,是集合了人类高智慧的一个作品,甚至它本身就是一个艺术品。就算找到了某一下技术公司合作,也只是一方面的接触,并不能在这个技术集合的产物中,起到多大的作用。
目前国内实力最强的光刻机厂商是上海微电子,而在2020年6月份,上海微电子披露了一份消息,将会在2021年-2022年期间,正式对外交付一台28nm制程工艺浸润式光刻机设备,采用的光源为第四代的ArF,波长为193nm,这也意味着我国的光刻机设备将会从90nm工艺时代迈入到28nm工艺时代。
近日,清华大学公布了一份研究成果,宣布已经找到了一种高功率、高重频、窄带宽的相干辐射,波长可覆盖从太赫兹到极紫外(EUV)波段:SSMB光源。功率更大,稳定性更强的SSMB光源,这意味着一旦被成功应用到光刻机上面,那么我们国家将在极紫外光源这一领域有了零到一的突破,这对于我国的光刻机研发意义非凡。
此外上海微电子方面也传来了好消息,那就是我国的光刻机将会迈入到14nm工艺制程时代,而此前中芯国际就掌握了14nm制程工艺芯片量产技术,这也意味着我国的芯片产业链将会达到14nm工艺水准,完全不需要依赖外国技术或者是设备,虽然距离高端7nm、5nm工艺芯片技术,还有着较大的技术差距。
我国从未停下对光刻机的研究和研发,最近也是好消息不断,这极大的鼓舞了民族信心,不管日后是自护研发出来也好还是借鉴改造也好,光刻机作为时代最高科技含量的产物,我国势必将其拿下。
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