兆易创新发展前景 应当避害趋利

 2024-05-14  阅读 6  评论 0

摘要:当前国内集成电路产业正处于全力追赶世界先进水平的阶段,也正处于快速发展阶段,兆易创新在此阶段迎来了良好的发展机会,同时也

兆易创新发展前景 应当避害趋利

当前国内集成电路产业正处于全力追赶世界先进水平的阶段,也正处于快速发展阶段,兆易创新在此阶段迎来了良好的发展机会,同时也存在着风险。

当前服务器引领新增长,产值突破千亿。受惠于人工智慧及云端运算对高效能运算的强劲需求,服务器的升级换代也带动服务器DRAM强劲需求。除此之外,北美网络服务业巨头如脸书、微软、谷歌等在网络数据中心上的建设也将产生较大需求。

从供给端来看,国际存储器龙头纷纷退出中低端NOR 以及SLC NAND市场,产能或让位于高毛利的高容量NOR,或转向DRAM和NAND Falsh业务。随着美光、Cypress不断退出市场,收缩产能,2017年利基型存储器(小容量NOR Flash/2D SLC NAND)出现供不应求的局面,市场上主要玩家仅剩下大陆的兆易创新和台湾的旺宏、华邦电子,呈现出三足鼎立的局面。

在NANDFlash产品上,厂商主要有三星电子、东芝、海力士、美光科技等企业,占据全球主要市场,产品类型以大容量存储的3DNAND为主。而在低容量2DNAND领域,市场规模相对较小,公司通过差异化产品需求切入该细分领域市场以实现局部应用领先。

但考虑到DRAM更广阔的市场,更高的毛利率,切入DRAM千亿美金赛道,DRAM市场需求端在云数据+智能手机+服务器驱动下持续增长,供应端受扩产时间差+日韩贸易不确定性+三大寡头维持谨慎资本开支影响产能有限,行业景气度提升。

但在在DRAM领域,目前全球存储器产业已经进入高度垄断的时代。主要的DRAM厂商包括韩国的三星电子、SK海力士和美国的美光科技,占据全球95%以上的市场份额。

另外,MCU也将是兆易另一增长点。权威机构IC insights预计2022年全球MCU需求高达438亿颗,市场规模达到1500 亿,高规模加上国产化,给国内MCU厂商一个很好的机遇。

当前兆易携手合肥产投,切入DRAM 新赛道,一旦研发成功,合肥长鑫将成为中国第一家自主化大规模 DRAM 工厂,项目投产后预计最大月产将能高达12.5万片,根据DRAMexchange统计数据,以全球月产能150万片计算,将占据世界DRAM市场约8%的份额。

关于关于兆易创新的发展,存在着大好的局势,但是竞争者实力更加强劲,市场份额占比更大,要想取得更好的发展,还要付出更多的努力。

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标签:兆易创新

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